Name: Vishay Siliconix SI7402DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7402DN-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI7402DN-T1-GE3

Artikelnummer:

SI7402DN-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8

Datenblätte:

1.SI7402DN-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI7402DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7402DN-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® 1212-8
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 20A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® 1212-8
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13A (Ta)
Grundproduktnummer	SI7402
SI7402DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI7402DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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