SI7402DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7402DN-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 20A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI7402 |
SI7402DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7402DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
VISHAY QFN8
SI7403DN-T1 VISHAY
SI7401DN-T1 VISHAY
SI7401DN-T1-E3 VIS
MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK
VBSEMI QFN8
SI7403DN-T1-E3 VISHAY
SI7401DN SI
SI7403DN SI
MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8
VISHAY PAK1212
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
VISHAY PowerPAK1212-8
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7402DN-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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